硅電容
村田高密度硅電容器采用半導體MOS工藝開發(fā)，并使用3D結(jié)構(gòu)來大幅增加電極表面，因此在給定的占位面積內(nèi)增加了靜電容量。村田的硅技術(shù)以嵌入非結(jié)晶基板的單片結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)（單層MIM和多層MIM—MIM是指金屬 / 絕緣體 / 金屬）。
X2SC/XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列 支持100GHz+的表面封裝硅電容器
UBDC系列 超寬帶表面貼裝型差分硅電容器對組
WASC系列 汽車應用 支持汽車引線鍵合的上下電極硅電容器
WBSC/WTSC/WXSC系列 最高工作溫度250℃的引線鍵合用上下電極硅電容器
WBSC/WTSC/WXSC系列 最高工作溫度250℃的引線鍵合用上下電極硅電容器
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